p-n结是太阳电池的核心,是太阳电池赖以工作的基础。它是怎样形成的呢?如图所示,把一块n型半导体和一块p型半导体紧密地接触。在交界处n区中电子浓度高,要向p区扩散,在n区一侧就形成一个正电荷的区域同样,p区中空穴浓度高,要向n区扩散,p区一侧就形成一个负电荷的区域。这个n区和p区交界面两侧的正、负电荷薄层区域称为“空间电荷区”,即通常所说的p-n结。在p-n结内,有一个从n区指向p区的电场,是由p-n结内部电荷产生的,叫做“内建电场”或“自建电场”。由于存在内建电场,在空间电荷区内将产生载流子的漂移运动,使电子由p区拉回n区,空穴由n区拉回p区,其运动方向正好和扩散运动的相反。这样,开始时扩散运动占优势,空间电荷区内两侧的正负电荷逐渐增加,空间电荷区增宽,内建电场增强。随着内建电场的增强,漂移运动也随之增强,阻止扩散运动的进行,使其逐步减弱。最后,扩散运动和漂移运动趋向平衡,扩散和漂移的载流子数目相等而运动方向相反,达到动态平衡。此时,内建电场两边的电势n区的一边高,p区的一边低,存在的这个电势差称作p-n结势垒,也叫内建电势差或接触电势差,用符号VD表示。由电子从n区流向p区可知,p区相对于n区的电势差为一负值。由于p区相对于n区具有电势-VD(取n 区电势为零),所以p 区中所有电子都具有一个附加电势能,其值为:电势能=电荷×电势=(-q)×(-VD)=qVDqVD通常称作势垒高度。当p-n结加上正向偏压(即p区接电源的正极,n区接负极),此时外加电压的方向与内建电场的方向相反,使空间电荷区中的电场减弱。这样就打破了扩散运动和漂移运动的相对平衡,源源不断地有电子从n区扩散到p区,有空穴从p区扩散到n区,使载流子的扩散运动超过漂移运动,由于n区电子和p区空穴均是多子,通过p-n结的电流(称为正向电流)很大。当p-n结加上反向偏压(即n 区接电源的正极,p 区接负极),此时外加电压的方向与内建电场的方向相同,增强了空间电荷区中的电场,载流子的漂移运动超过扩散运动。这时n区中的空穴一旦到达空间电荷区边界,就要被电场拉向p区,p区的电子一旦到达空间电荷区边界,也要被电场拉向n区。它们构成p-n结的反向电流,方向是由区流向p区。由于n区中的空穴和p区的电子均为少子,故通过P-n结的反向电流很快饱和,而且很小。说明电流容易从p区流向n区,不易从相反的方向通过p-n结,这就是p-n结的单向导电性。
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