“国产芯片”瑞森半导体（REASUNOS）将亮相2023慕尼黑上海电子展

起步于2007年，专注于功率半导体器件及功率IC的研发、设计、销售的瑞森半导体（REASUNOS），将于7月11日-13日亮相2023慕尼黑上海电子展（展位号：7.2H馆 D320展位）。与众多行业伙伴，共同聚焦新能源汽车、自动驾驶、智能座舱 、充电桩、绿色能源等新兴科技领域，深入探讨功率半导体技术在领域的应用及未来发展趋势。 electronica China慕尼黑上海电子展是电子行业内极具影响力的大规模专业展，也是行业内重要的盛事。瑞森半导体已连续多年参展，本届展会面积规模计划扩大至10万平米,参展企业将达到1600+,预计吸引观众7万人次，将会是电子行业同胞的一场盛会。瑞森半导体本次展会主打三条产品线，硅基功率器件，碳化硅基功率器件以及功率IC ，其中硅基功率器件包括平面高压MOS，超结MOS，Trench低压MOS和SGT低压MOS, 产品涵盖20V-1500V全耐压段，可以满足各种不同应用场景；以平面高压MOS为例，目前国内产品在技术指标上存在的问题主要是高温（150℃）漏电大以及电磁辐射EMI难解决；产品质量上存在的问题主要是老化考核后产品击穿电压（BV）跌落，可靠性难以符合工业要求等问题。瑞森半导体高压MOS系列采用新型的横向变掺杂技术，以专有的功率MOS结构，高温特性优良，同时极大提升了产品的雪崩能量和抗浪涌能力； 碳化硅基功率器件包括碳化硅SBD和碳化硅MOSFET，产品涵盖650V-1200V-1700V，3300V产品系列在开发中；已实现全球销售，SiC 产品系列完全可实现国产替代。 瑞森半导体超结MOS产品系列，均采用多层外延工艺制作，与传统的trench工艺相比，具有优异的抗EMI及抗浪涌能力，性能可媲美国际一线品牌。 电源管理IC采用的是1um 600V HVIC 高压浮栅工艺，整个系统电源采用CS-CP PPFC+ LLC (电流源电荷泵 +串联谐振)技术，是国内唯一 一家可以单级方案做到400W以上的大功率并涵盖高PF、低THD、无频闪、高效率等优势的产品系列，其中效率超过94%，PF（功率因数）大于0.96，THD（总谐波失真）在5%以内，频闪系数0.03（远远优于国标1.15的标准），产品可广泛应用于教育照明、家居照明、商业照明、学生书房灯、户外路灯、植物照明、投光灯、景观照明、体育场馆等。 瑞森半导体核心研发第三代宽禁带半导体技术，研发人员占比40%，具备强大的自主研发能力 。并与湖南大学半导体学院（集成电路学院）深度合作，进行第三代半导体技术的创新研发突破。未来，产品体系发展及完善速度将会加快步伐，将就更高耐压、更大电流，模块化等方向以及GaN HEMTs 的驱动芯片投入研发。 瑞森半导体服务全球半导体行业市场16年，产品性能、稳定性、一致性均得到市场的认可，本次展会现场除了产品展示外，瑞森半导体功率器件FAE总监及驱动方案研发总监也将坐镇展会现场，专业解答各类技术问题。更有电源网、芯查查等专访，同时展会活动现场还有各类福利，诚邀全球客户观展。关于瑞森半导体 （REASUNOS） 瑞森半导体（REASUNOS）起步于2007年，是一家专注于功率半导体器件及功率IC的研发、设计、销售的国家级高新技术企业， 致力于为全球客户提供功率半导体整体解决方案。 公司专注于高质、高性能的产品研发，核心研发第三代宽禁带半导体技术，是国内碳化硅（SiC）产品系列较早实现量产并全球销售的企业。品质、性能对标国际品牌，成功替代众多进口系列，助力芯片国产化。在集成芯片领域， 国内首创单级大功率400W高PF无频闪LED驱动IC，是具备较强竞争力、自主创新的产品。在功率器件领域，就更高耐压、更大电流，模块化等发展方向以及GaN HEMTs系列持续投入研发中。 公司产品涵盖碳化硅MOS、碳化硅二极管、硅基平面MOS、超结MOS、中低压MOS、LED驱动IC、电机驱动IC和系列ESD&TVS静电保护器件等，凭借产品可靠性高、参数一致性好等特点，广泛应用于新能源汽车 、充电桩、光伏、逆变、储能、白色家电、工业控制和消费类电子等领域。 瑞森半导体始终关注客户需求，将产品研发放在首要位置，公司于2022年成立瑞森半导体科技（湖南）有限公司，并与湖南大学创建“湖南大学半导体学院产教融合基地”，进行半导体技术与应用创新的深度研发合作。