电弧离子镀技术中脉冲偏压作用的基本原理

1)电弧离子镀中直流偏压的不足。电弧离子的理化率达60% ~ 90%，具有沉积速度快、膜气结合力强、镀层性好、反应沉积容易获得钛、氮化物等化合物涂层的优点，成为TiN型硬质薄膜不可替代的涂层工艺。但是传统的电弧离子镀总是直流的。下文偏压电源厂家说说电弧离子镀技术中脉冲偏压作用的基本原理。偏压电源由于一定的直流负偏压，离子不断轰击基板，从面限制了：镀膜。由于沉积温度相对较高(400 ~ 500)，低回火温度和低熔点基板上电镀受到限制，膜层的内应力相对较大，较难堆积厚膜。从阴极电弧源喷射大的金属液滴，使膜层组织粗糙。偏压电源厂家认为直流偏置电源防止电弧速度慢、电弧功能下降，容易导致工作表面烧 伤。2)电弧离子镀中脉冲偏压的出现。这是为了进一步降低沉积温度，克服其他不足。将电弧离子镀的传统直流偏压改为脉冲偏压，制成了脉冲偏压电弧离子镀。其典型异常状态偏置与时间关系。在电弧离子镀中，脉冲电源主电路的各开关部件已采用IGBT。目前，单管IGBT的升降时间在150~400ns之间，开通和关闭时间大部分在400~800ns之间，功率容量已达到600A/1200V、300A/1700V的水平。目前我国脉冲偏置电源的设计和制造水平基本上可以满足电弧离子镀的科研和生产需求。典型的电源参数为3360频率5~80kHz，脉冲偏置大小可能重叠0~-1500V。DC偏置0~-300V、占空比5%~85%另外，不对称双极脉冲偏置电源也开始应用。偏压电源厂家觉得使用脉冲偏置电源供电时，电压有中断间隔，在脉冲周期内断电。供电时间在脉冲周期中所占的比率称为占空比。通常，显示为' % '。在一个脉冲周期内间歇供电的时间由占空比控制。通常在800~1000V高压下进行“主攻轰炸”时，占比控制在20%左右。沉积钛、氮化物等化合物涂层时，将占用比例控制在80%左右。我是爱分享光电知识的——跃迁光电，希望本篇文章能对大家有所帮助。 “跃迁光电”是一站式光电产品网络商城。厂家不但生产高压直流电源，还可以根据客户的需求进行开发设计，量身定制高压直流电源。同时“跃迁光电”的产品还具有体积小、使用简单、功能多、品种齐全、保护完善、控制灵活的优势。截止到2023年，“跃迁光电”的产品已经扩大到12个品类，产品应用于科学、环保、工业等多个领域。现在“跃迁光电”的总部设在北京，同时在上海、苏州都设有办事处，“跃迁光电”的销售网络已经遍及全国。同时“跃迁光电”的产品也已经销往欧洲、美国、日本等国。“科技打造精品，诚信铸就未来”，跃迁人将为电源行业的发展和应用而不懈努力，——欢迎与我们联系洽谈。